Dioda semiconductoare de putere

Trimis la data: 2014-04-16 Materia: Electronica Nivel: Facultate Pagini: 103 Nota: / 10 Downloads: 0
Autor: steauandrei Dimensiune: 1184kb Voturi: Tipul fisierelor: pdf Acorda si tu o nota acestui curs: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Caracteristica statica reprezinta dependenta dintre curentul care trece prin dioda in functie de tensiunea la bornele acesteia. Caracteristica are doua ramuri: in cadranul unu pentrupolarizare directa si in cadranul trei pentru polarizare inversa (fig.1.15).Pentru polarizarea directa,
ca urmare a prezentei stratului n-, caracteristica statica se aproximeaza printr-o dreapta pentru tensiuni vF > VTo, VTo fiind numita tensiune de prag.

Ea reprezinta tensiunea peste valoarea careia
se amorseaza conductia prin dioda. Pentru majoritatea diodelor de
putere 0,7 a�€VTo a�€ 1V, sensibil mai mare ca la o jonctiune pn
obisnuita. Portiunea pentru tensiuni v a�€ VTo nu intereseaza d.p.d.v.
al aplicatiilor. Un punct de functionare oarecare F este
caracterizat prin perechea IF si VF interesand in aplicatii din doua
considerente. Primul se refera la caderea de tensiune pe dioda,
care, pentru variatii ale curentului in limite admisibile, poate
capata valori maxime de 1,4 ...

1,6 V, indicand faptul ca
modificarea caderii de tensiune VF este relativ redusa, iar
rezistenta diodei in sens direct redusa ca valoare , de ordinul mΩ.
Cel de al doilea aspect se refera la pierderea de putere in dioda
1 0 ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Ramura caracteristicii statice pentru polarizare inversa este caracterizata prin doua marimi. Pentru
F BR v < V , curentul invers prin dioda are o valoare constanta, IRM ,
fiind determinat de curentul invers de saturatie.

Valoarea acestui
curent depinde de marimea diodei, avand valori de la zeci de μA
pana la zeci de mA, IRM fiind cu atat mai mare cu cat curentul
nominal al diodei este mai mare. Corespunzator valorii IRM,
rezistenta in sens invers, ROFF , are valori de ordinul zecilor de MΩ.
Atingerea tensiunii VBR, tensiune de prabusire inversa, conduce la
deteriorarea ireversibila a diodei.Rezulta ca la polarizarea inversa
puterea disipata pe dioda este nesemnificativa, in timp ce
inegalitatea F BR v < V este esentiala pentru integritatea diodei.

La nivelul caracteristicii ideale,dioda fara pierderi, fig.1.16, dioda secomporta ca un intreruptor ideal, pentru v > 0 fiind inchis, iar
pentru v < 0 fiind deschis. In aplicatiile din electronica de putere, unde curentii si tensiunile sunt de ordinul sutelor sau miilor de amperi si volti, caracteristica ideala aproximeaza destul de bine
caracteristica reala.

  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6
  • pag. 7
  • pag. 8
  • pag. 9
  • pag. 10

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Filmele zilei
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10 Bacalaureat 2019 Vezi subiectele examenului de Bacalaureat din 2019 Evaluare Nationala 2019 Ultimele informatii despre evaluare nationala
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles