Elemente de elecronica corpului solid

Trimis la data: 2015-10-08 Materia: Fizica Nivel: Facultate Pagini: 12 Nota: / 10 Downloads: 0
Autor: iasmina1103 Dimensiune: 627kb Voturi: Tipul fisierelor: pdf Acorda si tu o nota acestui curs: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Aceasta comportare este determinata de natura legaturilor dintre atomi:
la metale (conductoare) exista legatura metalica, foarte slaba in care
electronii formeaza un nor electronic si pot participa usor la conductie;
la izolatoare (materiale izolante) este specifica legatura ionica, foarte
stabila pana la temperaturi foatrte mari; poate sa apara, eventual, o
conductie ionica;
semiconductoarele pot fi constituite:

Pentru a se elibera un electron din legatura covalenta este necesar
un surplus de energie. La temperaturi mai mari de 1000K, datorita agitatiei termice, electronii din stratul de valenta devin electroni liberi si formeaza o sarcina electronica reala mobila.
In aceste conditii, la aplicarea unui camp electric, electronii liberi
se deplaseaza ordonat si formeaza un curent electric de natura electronica;Dar, un electron de valenta vecin, de pe alta legatura covalenta,poate efectua o tranzitie (tot datorita agitatiei termice) si ocupa locul ramasliber;

sub influenta campului electric, se constata ca are loc o deplasare de
sarcina pozitiva in sensul campului electric, adica un electron devenit liber determina efectuarea mai multor tranzitii ca si cand locurile libere s-ar deplasa. Se asociaza acestei deplasari a unei sarcini pozitive notiunea de gol, adica un purtator de sarcina pozitiva care determina o componenta a curentului electric. De remarcat ca golul nu este o particula elementara ci este un concept care simuleaza deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin ocuparea lor de catre electroni care se afla deja pe
alte nivele energetice.

In cazul in care se introduc impuritati ale caror nivele energetice permise in BV sunt foarte aproape de BC (elemente pentavalente, Bi, Sb, As, P) in care al cincilea electron trece usor in banda de conductie, se obtin electroni de conductie chiar la temperaturi scazute desi nu au aparut goluri in banda de valenta adica procesul de generare de perechi de purtatori nu este semnificativ.Se spune ca impuritatile sunt de tip donor si ca, la temperatura camerei, suntionizate complet. Rezulta ca, in semiconductor, numarul de purtatori mobili
electroni este mai mare decat cel de goluri.

  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6
  • pag. 7
  • pag. 8
  • pag. 9
  • pag. 10

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Filmele zilei
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10 Bacalaureat 2019 Vezi subiectele examenului de Bacalaureat din 2019 Evaluare Nationala 2019 Ultimele informatii despre evaluare nationala
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles