Studiul caracteristicilor dinamice ale IGBT-urilor

Trimis la data: 2010-11-16 Materia: Electrotehnica Nivel: Facultate Pagini: 8 Nota: / 10 Downloads: 0
Autor: Irina Ana Ionescu Dimensiune: 115kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui laborator: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Datorita acestor avantaje acest tip de tranzistor a inceput sa fie din ce in ce mai utilizat in convertoarele statice de frecventa. Astfel majoritatea actionarilor numerice sunt realizate pe partea de forta cu IGBT-uri. In schema echivalenta a IGBT-ului, figura 2.a se remarca structura parazita a unui tiristor. Trebuie evitata aparitia fenomenului de "agatare" a IGBT-ului (cand intra in conductie tiristorul parazit). In aceste conditii scoaterea din conductie a acestui tiristor nu se mai poate realiza prin impuls de comanda si deci nu mai este posibila blocarea IGBT-ului. Pentru prevenirea fenomenului de agatare conductia tranzistorului npn este "controlata" prin sunturile din stratul de emitor, de rezistenta Rs prin care baza este conectata la emitor. [B2], [M2]
Referate similare: Nu exista laboratoare similare

In figura 3 se prezinta o schema pentru determinarea caracteristicilor dinamice ale unui IGBT pe o sarcina rezistiva. In figura 4 se prezinta caracteristicile corespunzatoare obtinute, unde se definesc urmatoarele marimi: timpul de intarziere la comutare directa td(ON) (tipul de ), timpul de crestere tr, timpul de intarziere la comutare inversa td(OFF) si timpul de cadere tr.Deoarece intrarea in conductie a IGBT-ului poate fi echivalata cu intrarea in conductie a unui tranzistor MOS inseriat cu o dioda de putere (dioda corespunzatoare jonctiunii J3),

timpii corespunzatori comutatiei directe (td(ON) si tr) sunt mai mari decat timpii corespunzatori unui tranzistor MOS echivalent (chiar daca capacitatea echivalenta de intrarea a IGBT-ului este mai mica decat cea a tranzistorului MOS echivalent). Blocarea IGBT-ului are loc in doua etape. In prima etapa (intervalul t1-t2 din figura 4), dupa aplicarea comenzii de blocare, capacitarea echivalenta a intrarii se descarca prin rezistorul RGE (figura 4), determinand blocarea tranzistorului MOS din structura IGBT-ului.

Dupa momentul t2 curentul prin dispozitiv este sustinut doar de curentul de goluri (ip), injectate in baza n de catre jonctiunea J3 polarizata direct, rata scaderii in continuare a curentului prin IGBT fiind determinata de rata recombinarii golurilor in baza n. Durata comutatiei inverse (tOFF = td(OFF) + tf) poate fi controlata prin rezistorul RGE. La fel ca la tranzistorul MOS o rezistenta RGE mare determina o blocare lenta a tranzistorului IGBT (valoarea maxima a curentului de recombinare ip este mai mica ).In partea experimentala a lucrarii se studiaza doua IGBT-uri (cu diode conectate in antiparalel). Cu ajutorul schemei, prezentate in figura 5.a se testeaza timpii de comutare pentru dioda in antiparalel cu IGBT-ul_1.

Dioda intra in conductie la blocarea IGBT-ului_2, cand bobina L intra in regim de descarcare. Daca nu ar fi aceasta dioda la blocarea IGBT-ului_2 bobina L intra in regim de descarcare ce determina aparitia unei tensiuni electromotoare la bornele acesteia. Aceasta tensiune se aduna cu tensiunea de alimentare Vcc si tensiunea VCE pe IGBT-ul_2 poate deveni mai mare decat cea pe care el o suporta si se poate distruge. In concluzie dioda montata in antiparalel cu bobina are ca scop prevenirea distrugerii IGBT-ului_2, la blocarea acestuia, datorita supratensiunii. De asemenea, cu aceasta schema, se pot studia caracteristicile dinamice ale IGBT-ului_2.

  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6
  • pag. 7
  • pag. 8

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles