Tranzistorul cu efect de camp TEC-J

Trimis la data: 2010-10-08 Materia: Electrotehnica Nivel: Facultate Pagini: 6 Nota: / 10 Downloads: 0
Autor: Mirela Zita Dimensiune: 31kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui laborator: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Tranzistoarele cu efect de camp (TEC) se bazeaza pe controlul efectuat de un camp electric asupra curentului care trece prin dispozitiv. Curentul electric trece printr un canal conductor, a carui conductanta depinde de valoarea campului electric de control. Curentul este format dintr un singur tip de purtatori de sarcina, care se deplaseaza de la un capat al canalului, numit sursa (S), la celalalt capat numit drena (D). Deplasarea purtatorilor are loc datorita diferentei de potential aplicata intre drena si sursa.
Referate similare: Nu exista laboratoare similare

Campul electric care moduleaza conductanta acestui canal provine din tensiunea aplicata pe un al treilea electrod, electrodul de control, numit grila (G) sau poarta (P). Tranzistoarele cu efect de camp se mai numesc si tranzistoare unipolare, deoarece la conductia curentului electric participa un singur tip de purtatori de sarcina mobili si anume purtatorii majoritari din canal. Dupa tipul de purtatori care participa la conductia curentului electric exista doua categorii de tranzistoare cu efect de camp: TEC cu canal n, cand purtatorii mobili sunt electronii, si TEC cu canal p la care curentul electric este dat de goluri.

Dupa modul in care se face controlul conductiei canalului, exista doua tipuri de TEC: TEC cu jonctiune, prescurtat TEC J care se studiaza in aceasta lucrare, si TEC cu poarta izolata numite si TEC metal oxid La baza functionarii TEC J stau urmatoarele proprietati ale jonctiunii pn:
regiunea de sarcina spatiala se comporta ca un mediu dielectric; adancimea de patrundere in zona n depinde de polarizarea jonctiunii pn largimea canalului depinde de tensiunea de poarta Up.La TEC J electrodul de control (grila) il constituie o jonctiune pn, polarizata invers. Pe un substrat puternic dopat de tip p se formeaza o zona de tip n care va constitui canalul, asa cum se poate vedea in figura 1.

O difuzie p+ se executa pentru a realiza jonctiunea pn intre poarta si canal. Se realizeaza contacte ohmice la cele doua capete ale canalului pentru sursa si drena.Canalul dintre sursa si drena este delimitat de regiunile de trecere ale jonctiunilor pe care le formeaza cu grila si substraAZtul. Daca aceste jonctiuni se polarizeaza invers, regiunile de trecere respective se extind patrunzand in regiunea n, intrucat aceasta este mai slab dopata cu impuritati decat celelalte zone. Astfel, largimea efectiva a canalului se micsoreaza. FenomeAZnul este evidentiat in figura 2, in care se considera cele doua regiuni p+ legate impreuna si canalul echipotential.

Modificarea sectiunii acestui canal determina modificarea conductantei sale Gc, adica conductanta masurata intre sursa si drena.Extinderea regiunilor de trecere ale jonctiunilor se mareste odata cu cresterea marimii tensiunii inverse aplicate jonctiunilor. Cand aceasta tensiune atinge valoarea de prag Up, regiunile de trecere fac contact obturand canalul, a carui conductanta scade la zero.

  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles