Analiza comparativa a tipurilor de memorie

Trimis la data: 0000-00-00 Materia: Informatica Nivel: Liceu Pagini: 5 Nota: / 10 Downloads: 9375
Autor: Roxina Dimensiune: 10kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui referat: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior stocate. Un circuit de memorare este un circuit electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam ca implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor .

REFERAT

Analiza comparativa a

tipurilor de memorie

de Gabor Cristinel

cl. a -XI-a D

1. Sisteme de memorie

Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a
unor informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior
stocate.

Un circuit de memorare este un circuit electronic care implementeaza
functia de memorare . Mentionam ca implementarea acestei functii se
poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit
pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu memorii magnetice
,memorii optice ,memorii semiconductoare .In continuare avem in vedere
numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare
.Din punct de vedere al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma
numerica mai precis a unor numere reprezentate sub forma binara,
aceste numere nu au nici o importanta.

2.Clasificarea si caracteristicile unei memorii

In functie de modul de utilizare in raport cu un sistem de calcul a
acestor memorii avem urmatoarele tipuri de functii de meorare:

* functia de memorare cu citire si scriere de date; in aceasta
categorie intra asa numitele memorii cu acces aleator RAM (Random
Acces Memory) care permit citirea si inscrierea unor noi date de
catre sistemul care le utilizeaza , precum si memoriile EEPROM
(Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) care pot fi
atat citite cat si sterse in mod selectiv si programate de catre
sistemul care le utilizeaza.
* functia de memorare numai cu citire de date ;in aceasta categorie
intra memoriile ROM (Read Only Memory),PROM (Programable Read Only
Memory), EPROM (Eraseable Programable Read Only Memory) care pot
fi numai citite de catre sistemul care le utilizeaza ;stergerea
posibila numai in cazul memoriilor de tip EPROM.nu este efectuata
de catre sistemul utilizator si nu este selectiva in raport cu
informatia inscrisa.

Asa cum este usor de observat regasirea unei informatii stocate
necesita furnizarea unor semnale privind locul unde se gaseste aceasta
informatie . Aceste semnale constituie intrari pentru circuitul de
memorie si se numesc adrese .Numerele binare memorate constituie date
pentru acest circuit si ele sunt semnale de intrare atunci cand se
citeste din memorie . In final trebuie sa precizam ca accesul la
memorie se face la un moment de timp bine determinat ,moment necesar a
fi comunicat printr-un semnal circuitului de memorie . Ca urmare un
circuit de memorie impreuna cu conexiunile sale informationale poate
fi reprezentat ca in figura de mai jos :

Trebuie sa precizam ca transferul de date este bidirectional (datele
intra si ies din din circuit ) in cazul memoriilor RAM si EEPROM si
unidirectional (datele ies din circuit )in cazul memoriilor ROM , PROM
si EPROM.

Caracteristicile mai importante ale unei memorii sunt :

* geometria sau modul de organizare a memoriei reprezentat de
lungimea unui cuvant si numarul de cuvinte memorate.
* capacitatea memoriei ; reprezentand numarul total de biti ce pot
fi memorati ; se exprima in general in multipli de 1k = 1024 de
biti.
* timpul de acces la memorie; se exprima in [us] sau [ns]
reprezentand timpul necesar pentru citirea sau scrierea unor
informatii in memorie.
* Puterea consumata ; pentru caracterizarea din acest punct de
vedere a unei memorii , se foloseste puterea consumata raportata
al un bit de informatie , respectiv raportul dintre puterea totala
consumata de circuit si capacitatea acestuia ; se masoara in
[uw/bit].
* Volatitatea ; o memorie este volatila daca informatia inscrisa se
pierde in timp ; pierderea informatiei se poate datora fie modului
de stocare a acesteia (memoriei dinamice fie datorita disparitiei
tensiunilor de alimentare ale circuitului.

3. Memorii ROM ;Memorii ROM programabile

Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este
programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Un
exemplu de celula de baza pentru un astfel de memorie este dat in
figura de mai jos:

Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui
tensiune de prag difera in functie de continutul informational al
locatiei respective .

Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce
atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa , informatia
inscrisa fiind 0 logic; daca ramane blocat atunci avem 1 logic .

Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face
printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila
tranzistorului si substrat

Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). Memoriile PROM
sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura
data de utilizator.Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa.
Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza un fuzibil din
polisiliciu care este ars la programare .Celula de baza a unei memorii
PROM realizata cu tranzistoare bipolare este data in figura de ami jos
:

Initial toate fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate .

Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul
respectiv . Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza ,iar
linia de bit DL se mentine la potential coborat .Curentul de emitor al
tranzistorului , suficient de mare , produce arderea fuzibilului F .
Programarea se face succesiv pe fiecare celula ,selectia unei celule
facandu-se prin liniile WL si DL.

Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de memorie un
tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila) ,una comanda si
una izolata ,ca in figura de mai jos:

Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa
atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate
aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu
este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc
creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia
tranzistorului . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand
tranzistorul este blocat si 0 cand acesta conduce. Injectarea de
sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni
drena , si o tensiune pozitiva pe grila . Tensiunea Vds mare , duce la
campul electric intern intens , trec prin stratul de oxid foarte
subtire si se acumuleaza in grila izolata .Pentru stergereainformatiei
din celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat)se
expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din
grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin
stratul izolator.

Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru
trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] .
Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este
data in figura de mai jos :

Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua
tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1)
care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie stearsa , grila izolata
este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat.

Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea
pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie
tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se
aplica +20V pe linia de programare .Datorita campului electric intern
mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se
acumuleaza in grila izolata ,formand o sarcina negativa .

Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia
selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce
linia de programare este la potential zero .Campul electric format
intre grila si substrat (= substrat ,- grila ) smulge electroni din
grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1
intra in conductie prin formarea canalului "n" intre drena si sursa.

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Filmele zilei
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10 Bacalaureat 2019 Vezi subiectele examenului de Bacalaureat din 2019 Evaluare Nationala 2019 Ultimele informatii despre evaluare nationala
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Am inteles