Memoria calculatorului

Trimis la data: 2005-01-31 Materia: Informatica Nivel: Liceu Pagini: 6 Nota: / 10 Downloads: 14
Autor: Tiberiu avramescu Dimensiune: 180kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui referat: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii din zilele noastre. In ultimi ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert, ceea ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB.

Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii din zilele noastre. In ultimi ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert, ceea ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB. Factorul principal care a dus la cresterea productiei fiind cererea de memorie, care a crescut datorita programelor ce utilizeaza tot mai multa memorie dar si datorita avantajului (din punct de vedere al performantelor) pe care memoria RAM il ofera in comparatie cu alte tehnologii de stocare a informatiei.

In acelasi timp performantele noilor module au fost imbunatatite, au scazut timpii de acces iar viteza bus-ului a crescut. Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factorii de ordin tehnic, unul dintre acestia ar fi evolutia procesoarelor, care prin cresterea frecventei introduc necesitatea cresterii performantelor pentru memorii.

In lungul timpului memoriile au fost construite prin prisma mai multor tehnologii, dintre acestea doar o parte au reusit sa se impuna pe piata. Principalul motiv fiind, dupa cum multi dintre noi cunosc, raportul pret/perfomanta. In continuare, este prezentata o scurta descriere a modului de functionare pentru cele mai raspindite memorii existente pe piata cit si avantajele si dezavantajele tehnologiilor existente.
     
Clasificarea si caracteristicile unei memorii

In functie de modul de utilizare in raport cu un sistem de calcul a acestor memorii avem urmatoarele tipuri de functii de memorare:
1. Functia de memorare cu citire si scriere de date; in aceasta categorie intra asa numitele memorii cu acces aleator RAM (Random Acces Memory) care permit citirea si inscrierea unor noi date de catre sistemul care le utilizeaza, precum si memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) care pot fi atat citite cat si sterse in mod selectiv si programate de catre sistemul care le utilizeaza.

2. Functia de memorare numai cu citire de date; in aceasta categorie intra memoriile ROM (Read Only Memory), PROM (Programable Read Only Memory), EPROM (Eraseable Programable Read Only Memory) care pot fi numai citite de catre sistemul care le utilizeaza; stergerea posibila numai in cazul memoriilor de tip EPROM. Nu este efectuata de catre sistemul utilizator si nu este selectiva in raport cu informatia inscrisa.

Asa cum este usor de observat regasirea unei informatii stocate necesita furnizarea unor semnale privind locul unde se gaseste aceasta informatie. Aceste semnale constituie intrari pentru circuitul de memorie si se numesc adrese. Numerele binare memorate constituie date pentru acest circuit si ele sunt semnale de intrare atunci cand se citeste din memorie.

In final trebuie sa precizam ca accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat, moment necesar a fi comunicat printr-un semnal circuitului de memorie.Trebuie sa precizam ca transferul de date este bidirectional (datele intra si ies din din circuit) in cazul memoriilor RAM si EEPROM si unidirectional (datele ies din circuit) in cazul memoriilor ROM, PROM si EPROM.

Caracteristicile mai importante ale unei memorii sunt:
A. Geometria sau modul de organizare a memoriei reprezentat de lungimea unui cuvant si numarul de cuvinte memorate.
B. Capacitatea memoriei; reprezentand numarul total de biti ce pot fi memorati; se exprima in general in multipli de 1k = 1024 de biti.
C. Timpul de acces la memorie; se exprima in [us] sau [ns] reprezentand timpul necesar pentru citirea sau scrierea unor informatii in memorie.

D. Puterea consumata; pentru caracterizarea din acest punct de vedere a unei memorii, se foloseste puterea consumata raportata al un bit de informatie, respectiv raportul dintre puterea totala consumata de circuit si capacitatea acestuia; se masoara in [uw/bit].
E. Volatitatea, o memorie este volatila daca informatia inscrisa se pierde in timp; pierderea informatiei se poate datora fie modului de stocare a acesteia (memoriei dinamice fie datorita disparitiei tensiunilor de alimentare ale circuitului.

Memorii ROM programabile
Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag difera in functie de continutul informational al locatiei respective.

Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa, informatia inscrisa fiind 0 logic; daca ramane blocat atunci avem 1 logic.

Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat.
Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura data de utilizator. Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa. Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare. Celula de baza a unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.

Initial toate fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate. Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul respectiv. Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza, iar linia de bit DL se mentine la potential coborat. Curentul de emitor al tranzistorului, suficient de mare, produce arderea fuzibilului F. Programarea se face succesiv pe fiecare celula, selectia unei celule facandu-se prin liniile WL si DL.
Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila), una comanda si una izolata.

Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua (Vc) nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului “n” si la conductia tranzistorului. Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand acesta conduce.

Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni drena, si o tensiune pozitiva pe grila. Tensiunea Vds mare, duce la campul electric intern intens, trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata. Pentru stergerea informatiei din celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat) se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete.

Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator.Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator, numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel (1s). Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuite si un tranzistor care este de tip TEC-MOS. Intr-o celula de memorie stearsa, grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul este blocat.

Stergerea informatiei din celula se face astfel: se aplica tensiunea pozitiva (+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare. Datorita campului electric intern mare. Electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata, formand o sarcina negativa.

Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant (WL) si +18V in drena tranzistorului in timp ce linia de programare este la potential zero. Campul electric format intre grila si substrat (substrat, grila) smulge electroni din grila a doua, aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul intra in conductie prin formarea canalului “n” intre drena si sursa.

  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Filmele zilei
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10 Bacalaureat 2019 Vezi subiectele examenului de Bacalaureat din 2019 Evaluare Nationala 2019 Ultimele informatii despre evaluare nationala
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles