Tranzistorul cu efect de camp

Trimis la data: 2002-06-09 Materia: Fizica Nivel: Liceu Pagini: 2 Nota: / 10 Downloads: 4233
Autor: Doru Adrian Dimensiune: 6kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui referat: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "–" pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni.

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP
Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale :
Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

Figura 1. Tranzistori cu efect de camp
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "ˇV" pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni.

Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata
Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si "ˇV" pe sursa).
ID = (UGS ˇVVP)„Ş UDS„ŞK
unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are valoarea limita:
ID = (UGS ˇVVP)2„ŞK/2

Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-sursa
Tranzistor Caracteristici Pret
BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin = P=UTEC x Ibec = 0,8W destul de mica pentru a nu fi necesar radiator pentru tranzistor

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Filmulete haioase Filme, poante si cele mai tari faze Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

Referat.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat politica de confidentialitate pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles