Tranzistorul cu efect de camp

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP
Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale :
Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

Figura 1. Tranzistori cu efect de camp
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "ˇV" pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni.

Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata
Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si "ˇV" pe sursa).
ID = (UGS ˇVVP)„Ş UDS„ŞK
unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are valoarea limita:
ID = (UGS ˇVVP)2„ŞK/2

Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-sursa
Tranzistor Caracteristici Pret
BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin = P=UTEC x Ibec = 0,8W destul de mica pentru a nu fi necesar radiator pentru tranzistor