Cercetarea caracteristicii celulelor solare

Trimis la data: 2010-07-15
Materia: Biologie
Nivel: Facultate
Pagini: 6
Nota: 9.99 / 10
Downloads: 0
Autor: Mirela_M
Dimensiune: 145kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui curs:
Efectul fotovoltatic este procesul fizic prin care energia radiatiei luminoase (fotonilor) este transformata direct in energia electrica. Evidentierea acestui efect in semiconductori impune existenta unei bariere de potential, deci a unui cimp electric capabil sa separe cele doua tipuri de purtatori de neechilibru, electroni si goluri, fotogenerati prin actiunea fotonilor. Deci, acest efect poate fi observat in jonctiunea p-n (homo sau hetero), la contactul metal-semiconductir, etc.

Cursuri similare:

Prezenta purtatorilor de sarcina fotogenerati, duce la micsorarea barierii interne de potential (fig.1), ceea ce faciliteaza transferul purtatorilor minoritari dintr-o parte in alta a jonctiunii p-n, astfel ca regiunea p se incarca pozitiv, iar regiunea n - negativ (fig.1,c).
Aceasta stare de neechilibru pentru purtatorii de sarcina dureaza atit timp, cit jonctiunea p-n se afla sub influenta radiatiei luminoase si este masurabila, in functie de conectarea intr-un circuit extern a jonctiunii p-n,

printr-o tensiune de aceeasi polaritate cu cea directa in conditii de circuit deschis (rezistenta de sarcina mare) sau printr-un curent de scurtcircuit (rezistenta de sarcina neglijabila).
Curentul de scurt circuit prin jonctiunea p-n este dat intr-o prima aproximatie de relatia:
Jsc=qgAf(Ln+Lp) (1)
unde Af este aria activa a jonctiunei p-n, Ln si Lp sint lungimile de difuzie ale purtatarilor minoritari, electroni respectiv goluri, iar g este rata de fotogenerare a purtatorilor minoritari. Acest curent va fi de sens opus curentului direct (de injectie) prin jonctiunea p-n, deci de acelasi sens cu curentul invers.

In conditiile conectarii la bornele jonctiunii p-n a unei rezistenta de sarcina finite, tensiunea datorata fotogenerarii purtatorilor ajunge la o valoare V (vezi fig.1c), iar fotocurentul prin aceasta rezistenta de sarcina va fi mai mic decit curentul de scurt circuit datorita curentului de injectie generat de trecerea purtatorilor de sarcina in sens invers (si descris de ecuatia diodei). Curentul prin jonctiunea p-n iluminata pentru orice valoare V a fototensiunei este dat de:

I=Jsc-Isiexp(qV/kT)-1i (2)
In conditii de circuit deschis (J=0, adica rezistenta de sarcina infinita), relatia (1) devine:
V=Vcd=kT/qiSln(JSC/Is+1) (3)
Observam din (1) ca valorea maxima a fotocurentului se obtine in conditii de scurtcircuit (rezistenta de sarcina externa nula, V=0) si anume:
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.