Dioda semiconductoare de putere

Trimis la data: 2014-04-16
Materia: Electronica
Nivel: Facultate
Pagini: 103
Nota: 10.00 / 10
Downloads: 0
Autor: steauandrei
Dimensiune: 1184kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: pdf
Acorda si tu o nota acestui curs:
Caracteristica statica reprezinta dependenta dintre curentul care trece prin dioda in functie de tensiunea la bornele acesteia. Caracteristica are doua ramuri: in cadranul unu pentrupolarizare directa si in cadranul trei pentru polarizare inversa (fig.1.15).Pentru polarizarea directa,
ca urmare a prezentei stratului n-, caracteristica statica se aproximeaza printr-o dreapta pentru tensiuni vF > VTo, VTo fiind numita tensiune de prag.
Ea reprezinta tensiunea peste valoarea careia
se amorseaza conductia prin dioda. Pentru majoritatea diodelor de
putere 0,7 a�€VTo a�€ 1V, sensibil mai mare ca la o jonctiune pn
obisnuita. Portiunea pentru tensiuni v a�€ VTo nu intereseaza d.p.d.v.
al aplicatiilor. Un punct de functionare oarecare F este
caracterizat prin perechea IF si VF interesand in aplicatii din doua
considerente. Primul se refera la caderea de tensiune pe dioda,
care, pentru variatii ale curentului in limite admisibile, poate
capata valori maxime de 1,4 ...

1,6 V, indicand faptul ca
modificarea caderii de tensiune VF este relativ redusa, iar
rezistenta diodei in sens direct redusa ca valoare , de ordinul mΩ.
Cel de al doilea aspect se refera la pierderea de putere in dioda
1 0 ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Ramura caracteristicii statice pentru polarizare inversa este caracterizata prin doua marimi. Pentru
F BR v < V , curentul invers prin dioda are o valoare constanta, IRM ,
fiind determinat de curentul invers de saturatie.

Valoarea acestui
curent depinde de marimea diodei, avand valori de la zeci de μA
pana la zeci de mA, IRM fiind cu atat mai mare cu cat curentul
nominal al diodei este mai mare. Corespunzator valorii IRM,
rezistenta in sens invers, ROFF , are valori de ordinul zecilor de MΩ.
Atingerea tensiunii VBR, tensiune de prabusire inversa, conduce la
deteriorarea ireversibila a diodei.Rezulta ca la polarizarea inversa
puterea disipata pe dioda este nesemnificativa, in timp ce
inegalitatea F BR v < V este esentiala pentru integritatea diodei.

La nivelul caracteristicii ideale,dioda fara pierderi, fig.1.16, dioda secomporta ca un intreruptor ideal, pentru v > 0 fiind inchis, iar
pentru v < 0 fiind deschis. In aplicatiile din electronica de putere, unde curentii si tensiunile sunt de ordinul sutelor sau miilor de amperi si volti, caracteristica ideala aproximeaza destul de bine
caracteristica reala.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.