Elemente de elecronica corpului solid

Trimis la data: 2015-10-08
Materia: Fizica
Nivel: Facultate
Pagini: 12
Nota: 10.00 / 10
Downloads: 0
Autor: iasmina1103
Dimensiune: 627kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: pdf
Acorda si tu o nota acestui curs:
Aceasta comportare este determinata de natura legaturilor dintre atomi:
la metale (conductoare) exista legatura metalica, foarte slaba in care
electronii formeaza un nor electronic si pot participa usor la conductie;
la izolatoare (materiale izolante) este specifica legatura ionica, foarte
stabila pana la temperaturi foatrte mari; poate sa apara, eventual, o
conductie ionica;
semiconductoarele pot fi constituite:
Pentru a se elibera un electron din legatura covalenta este necesar
un surplus de energie. La temperaturi mai mari de 1000K, datorita agitatiei termice, electronii din stratul de valenta devin electroni liberi si formeaza o sarcina electronica reala mobila.
In aceste conditii, la aplicarea unui camp electric, electronii liberi
se deplaseaza ordonat si formeaza un curent electric de natura electronica;Dar, un electron de valenta vecin, de pe alta legatura covalenta,poate efectua o tranzitie (tot datorita agitatiei termice) si ocupa locul ramasliber;

sub influenta campului electric, se constata ca are loc o deplasare de
sarcina pozitiva in sensul campului electric, adica un electron devenit liber determina efectuarea mai multor tranzitii ca si cand locurile libere s-ar deplasa. Se asociaza acestei deplasari a unei sarcini pozitive notiunea de gol, adica un purtator de sarcina pozitiva care determina o componenta a curentului electric. De remarcat ca golul nu este o particula elementara ci este un concept care simuleaza deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin ocuparea lor de catre electroni care se afla deja pe
alte nivele energetice.

In cazul in care se introduc impuritati ale caror nivele energetice permise in BV sunt foarte aproape de BC (elemente pentavalente, Bi, Sb, As, P) in care al cincilea electron trece usor in banda de conductie, se obtin electroni de conductie chiar la temperaturi scazute desi nu au aparut goluri in banda de valenta adica procesul de generare de perechi de purtatori nu este semnificativ.Se spune ca impuritatile sunt de tip donor si ca, la temperatura camerei, suntionizate complet. Rezulta ca, in semiconductor, numarul de purtatori mobili
electroni este mai mare decat cel de goluri.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.