Fotorezistori - placa sau pelicula de semiconductor

Trimis la data: 2010-02-12
Materia: Fizica
Nivel: Facultate
Pagini: 62
Nota: 10.00 / 10
Downloads: 0
Autor: Anton Minulea
Dimensiune: 2482kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui curs:
Este o placa sau o pelicula de semiconductor cu doua contacte ohmice.Semnalul optic este absorbit si fotonii genereaza purtatori de sarcina in rezultatul actelor de tranzitie "banda-banda" sau prin intermediul nivelelor energetice ale impuritatilor.

Cursuri similare:

Functionarea fotorezitorilor este determinata de trei parametri:
Eficienta cuantica sau de amplificare;
Timpul de fotoraspuns;
Fotosensibilitatea sau detectivitatea.

Sa examinam procesul de functionare al fotorezistorului. Fie ca in primul moment de timp numarul purtatorilor de sarcina ce au fost generati intr-o unitate de volum este . In momentul de timp urmator numarul lor se va micsora din cauza procesului de recombinare dupa legitatea:
- timpul de viata al purtatorilor de sarcina
- viteza de recombinare.

Daca fluxul de lumina este constant in timp si este distribuit uniform pe toata suprafata , atunci numarul total de fotoni incidenti va fi:
- puterea fluxului optic.Pentru cu un timp de viata al purtatorilor de sarcina mare si o distanta mica dintre contactele ohmice coeficientul de amplificare este cu mult mai mare ca 1. Timpul de fotoraspuns este egal cu timpul de tranzitie .Din cauza ca la fotorezistori distanta dintre contactele ohmice este mare, iar campurile electrice prezente sunt mici, timpul de fotoraspuns este mult mai mare ca la fotodiode.

1.Caracteristica curent-tensiune
Sunt simetrice in raport cu originea axelor de coordonate, deoarece rezistenta lor nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc fotorezistoare numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate.

Jonctiunea p - n - este contactul ideal dintre doua semiconductoare de tip "n" si "p".Datorita gradientului de concentratie al purtatorilor de sarcina majoritari, va avea loc difuzia lor prin hotarul metalic al jonctiunii.Electroneutralitatea in regiunea hotarului dintre semiconductoarele "p" si "n" se va fi afectata, si, deci, va avea loc redistribuirea purtatorilor de sarcina liberi.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.