Jonctiunea pn cu tensiune aplicata

Aproximatii pentru calcul:
- jonctiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;
- fluxuri unidimensionale de purtatori;
- regiunea de trecere complet golita de purtatori;
- in regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
- lungimile de difuzie sunt mai mici decat lungimile zonelor neutre
(dioda groasa);
- jonctiune abrupta;

- se neglijeaza rezistentele zonelor neutre;
- se neglijeaza efectele de suprafata;
- se considera temperaturi ambiante; impuritatile sunt ionizate
complet.Deci:
L p
x
n p x p Ae
i
( ) i©
Conditia la limita Shockley: kT
quD
n n nx l p(l ) p e ;
Rezulta:
L p
ln
kT
quD
n A p (e i1)e ;
Deci:
L p
x ln
kT
quD
n n p x p p e e

( ) i© ( i1) .
Pentru: D n u 0 p(x) p (echilibru termodinamic)
Pentru: 0 D u apare concentratia in exces care dispare dupa p x L .
Se calculeaza curentul de goluri:
( 1)( 1 ) ( 1)
( )