Optoelectrica - diode luminiscente

Trimis la data: 2009-03-18
Materia: Fizica
Nivel: Facultate
Pagini: 5
Nota: 9.95 / 10
Downloads: 0
Autor: Florin Munteanu
Dimensiune: 160kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui curs:
Dioda luminescenta este cea mai utilizata sursa de radiatie in optoelectronica moderna. Dioda luminescenta - este o jonctiune p-n polarizata direct, incare electronii si golurile recombineaza iradiant (cu emiterea fotonilor) in regiunea de sarcina spatiala si la o distanta de la regiunea de sarcina spatiala egala cu lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcina ( , ).

Cursuri similare:

La valori mici ale curentului de injectie, prevaleaza recombinatia in stratul de sarcina spatiala, unde probabilitatea tranzitiilor iradiante este mai mica. Pentru densitati mari ale curentului scade din cauza incalzirii diodei luminescente. Eficienta cuantica externa tot timpul este mai mica ca eficienta cuantica interna, din cauza pierderilor luminii la iesirea ei din dioda. Cauzele sunt:Reflexia interna totala;

Dioda din GaAs ce emite in infrarosu se acopera cu o pelicula din material "antistocks". Spre deosebire de materialele obisnuite care emit fotoni cu energie mai mica decat energia fotonilor absorbiti pentru excitarea lor, materialele antictocks emit fotoni cu .
Este evident, ca pentru a pastra legea conservarii energiei este necesar sa fie absorbiti doi sau mai multi fotoni cu energie mica pentru a emite un foton cu energie mai mare, deci 2 fotoni infrarosii pentru a emite 1 foton albastru.

In calitate de luminofori antistocks pot servi:Compusii F (fluor);Oxisulfid de lantan activat cu iterbiu sau cu erbiu ( ).
Randamentul diodelor cu material antistocks este de . Insa, si diodele din GaP:N, care emit in verde, la fel, poseda randamentul de .Rapiditatea diodelor cu material antistocks este scazuta din cauza proceselor de absorbtie si reemisie a luminii.

La polarizarea directa, aici, are loc injectia unilaterala a electronilor din semiconductorul cu banda larga in cel cu banda ingusta, deoarece bariera de potential pentru goluri este prea mare. Aici, coeficientul injectiei este mult mai mare, si, deci, creste brusc eficienta cuantica interna. Fotonii emisi in semiconductorul cu banda ingusta cu pot fi scosi din structura prin semiconductorul cu fara pierderi suplimentare la absorbtie.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.