Performante de comutatie

Trimis la data: 2010-10-09
Materia: Electronica
Nivel: Facultate
Pagini: 3
Nota: 9.87 / 10
Downloads: 0
Autor: Adelina Turcu
Dimensiune: 219kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui curs:
Evolutia tehnologiei semiconductoarelor a contribuit la succesul echipamentelor moderne de conversie de putere, ilustrate in figura 2.1.1.
Diodele Schottky au imbunatatit randamentul surselor de putere la curenti mari si tensiuni reduse.
Diodele rapide au contribuit la cresterea randamentului si la reducerea radiatiilor electromagnetice a convertoarelor de putere.

Cursuri similare:

Posibilitatile de comutare rapida, la tensiuni inalte si curenti mari, au permis tranzistoarelor bipolare sa intre in domenii care alta data erau rezervate tiristoarelor.Comutarea foarte rapida si impedanta de intrare mare a tranzistoarelor cu efect de camp (MOSFET) au permis micsorarea dimensiunii si a greutatii convertoarelor prin cresterea frecventei de comutare.

Tranzistoarele bipolare cu grila izolata (IGBT) au de asemenea impedanta de intrare mare si pierderile in conductie sunt mai mici decat la tranzistoarele MOSFET. Tiristoarele rapide au minimizat numarul componentelor de comutatie si au imbunatatit randamentul echipamentelor electronice de mare putere. Avantaje reale prezinta si tiristoarele controlate cu dispozitive cu efect de camp de tip MCT (MOS - CONTROLLED THYRISTORS).

Relativ recenta introducere a tehnologiei MOS in domeniul semiconductoarelor de putere, a creat aceste dispozitive "revolutionare" (IGBT, MCT) cu certe avantaje in aplicatii. Tranzistoarele IGBT prezinta un interes deosebit si incep sa prezinte o tot mai mare importanta in proiectarea si realizarea sistemelor electronice de putere pentru industrie, pentru consumatori casnici, pentru aplicatiile militare, etc. Analizand figura 2.1.1 observam ca printre alte dispozitive, tranzistoaerele IGBT tind sa inlocuiasca tranzistoare bipolare (simple sau Darlington) si de tip MOSFET.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.