Influenta temperaturii ambiante asupra jonctiunii P-N

Trimis la data: 2010-10-18
Materia: Chimie
Nivel: Facultate
Pagini: 6
Nota: 9.85 / 10
Downloads: 0
Autor: Lucian Seghercea
Dimensiune: 49kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui laborator:
1.Scopul lucrarii
Se va studia influenta temperaturii asupra conductiei in sens direct la diode semiconductoare. Se va ridica caracteristica curent-tensiune la doua temperaturi diferite ale mediului ambiante. Se determina coeficientul de variatie a tensiunii cu temperatura pentru diodele studiate.

Laboratoare similare:

2.Consideratii teoretice
Zona de contact intre un semiconductor de tip p si unul de tip n se numeste jonctiune p-n. Procesele care au loc in jonctiune sunt legate de difuzia purtatorilor de sarcina. Intr-o grosime Lb in jurul zonei de contact are loc o recombinare a electronilor de pe nivele aditionale cu golurile de pe celelalte nivele aditionale, nivele acceptoare.In acest volum de material de grosime Lb datorita difuziunii purtatorilor de sarcina apare un camp electric care franeaza difuzia in continuare a purtatorilor de sarcina.

La o polarizare directa a jonctiunii p-n bariera de potential se micsoreaza, se reduce Lb. Polarizarea inversa a jonctiunii duce la cresterea latimii barierei de potential, deci creste si energia necesara trecerii barierei, prin urmare scade curentul prin jonctiune. Curentul invers este neglijabila fata de curentul direct printr-o jonctiune.

Curentul I care trece printr-o jonctiune, la aplicarea unei tensiuni U, depinde de tipul jonctiunii (de materialul de baza, de tipul si cantitatea impuritatilor), de valoarea tensiunii aplicate si de temperatura.

Curent maxim direct - valoarea maxima a curentului in sens direct sub care procesele termice care au loc in material nu distrug jonctiunea (este o marime de catalog). Curent de saturatie I0 - valoarea maxima a curentului in sens invers. Tensiune maxima inversa Ui - valoarea maxima a tensiunii pe care jonctiunea mai poate suporta la alimentarea inversa.Rezistenta interna a jonctiunii RA.

Deci dependenta curentului de temperatura este exponentiala. Aceasta dependenta se reflecta si pe caracteristica If(U) a diodei (figura 1). In cazul diodelor de germaniu dependenta curentului de temperatura este mai intensa decat in cazul diodelor de siliciu. Aparatura utilizata:
D1, D2 - diode de studiat
V - voltmetru de c.c. pe domeniul 0-1V
mA - multimetru digital E0302 pe domeniul 1000mA c.c.
A - ampermetru de c.a. avand domeniile 0-1A si 0-250mA
C - multimetru electronic tip V640 MERATRONIC pe domeniul de 50iC si 150C
Q, Q1 - comutator cu doua pozitii
R - reostat 30iZ5A
Ri - rezistenta de incalzire
S, S1 - surse de alimentare de c.c.

1.Ridicarea caracteristicilor If(U) la diferite temperaturi
Prima data se ridica caracteristica If(U) pentru cele doua diode (unul de siliciu, celalalt de germaniu) la doua temperaturi diferite, la temperatura camerei, apoi la o temperatura mai mare.

Se realizeaza schema de pe figura 2 cu comutatorul Q pe una din pozitiile 1 sau 2 fara sa cuplam incalzirea (Q1 deschis). Cu termometrul electronic se va masura temperatura ambianta T0 si se noteaza in tabel. Se alimenteaza schema de la sursa S cu o tensiune directa ai carei valoare se modifica conform tabelului 1.

Pentru fiecare valoare a tensiunii se citeste valoarea curentului prin dioda si se noteaza in tabelul 1. Se reduce tensiunea, se trece comutatorul Q pe cealalta pozitie si se repet masuratorile, datele se trec in tabelul 1 linia corespunzatoare diodei D2 si temperatura T0.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.