Laseri pe semiconductori

Trimis la data: 2009-04-03 Materia: Fizica Nivel: Facultate Pagini: 8 Nota: / 10 Downloads: 0
Autor: Andrei_S Dimensiune: 316kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui laborator: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Din cauza generarii modelor transversale se mareste valoarea curentului de prag, apare o instabilitate in diagrama directivitatii, se inrautateste caracteristica de modulare. De aceea, este necesar de a lichida aceste mode, sau de ignorat numai modele de ordin mic.
Aceasta se efectueaza constructiv. Sunt micsorate gabaritele sectiunii transversale ale laserului. Daca stratul activ poseda coeficientul de refractie , straturile vecine - , iar diferenta lor relativa este:
Referate similare: Nu exista laboratoare similare

In astfel de constructii modele transversale sunt absorbite, iar unda longitudinala poarta caracter unimod.Reglarea cu modele longitudinale.
Exploatand dioda laser a fost observat urmatorul efect. In timpul modularii emisiei laser are loc trecerea de la o moda la alta instantaneu. Deci, este necesar de a forma un rezonator, care, spre deosebire de rezonatorul Fabry - Perout, poseda pierderi mici numai pentru o singura moda longitudinala.Deci se foloseste o structura cu legatura inversa distribuita.

Aici, reteaua de difractie Brag se formeaza de o parte a stratului activ sau pe ambele parti. Materialul retelei este diferit de materialul stratului activ. Aici este generata doar o singura moda, chiar si in regim de modulare la frecvente inalte. Astfel de lasere se formeaza din solutii solide de InGaAsP. Lungimea de unda a luminii generate este .Pentru sistemul GaAs-AlGaAs este necesara o retea de difractie cu o perioada ( ) mult mia mica, ceea ce este destul de dificil de efectuat. In afara de aceasta, prezenta Al complica tehnologia confectionarii (el se oxideaza).

Puterea luminii emise si eficienta cuantica.Curentul de prag depinde de eficienta cuantica interna, pierderile optice in rezonator, grosimea si latimea stratului activ etc. Valoarea lui minima pentru generare in continuu este (teoretic). Practic, pentru laserii pe baza de AlGaAs el constituie .Puterea luminii in regim continuu si la temperatura camerei constituie . In cele mai bune lasere pe baza solutiilor solide AlGaAs .Eficienta cuantica: .

Stiri
  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6
  • pag. 7
  • pag. 8

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Noutati
Stiri educatie
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Materiale educative Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.