Depunerea de oxizi metalici cu constanta dielectrica mare prin ablatie laser

Lucrare de licenta despre Depunerea de oxizi metalici cu constanta dielectrica mare prin ablatie laser
Din numarul mare de denumiri ce apar in literatura de specialitate pentru depunerea laser pulsata, exista un numar de sinonime ce merita a fi pomenite, cum ar fi: evaporarea laser, depunerea si tratamentul asistat laser, ablatia laser, depunerea prin ablatie laser, depunerea prin evaporare laser, "sputtering"-ul asistat laser etc. Ceea ce este comun tututor acestor definitii este faptul ca reprezinta intotdeauna o succesiune de doua procese: o vaporizare a unui material tinta urmata de depunerea acestuia pe un colector aflat la o anumita distanta si plasat, in general, plan-paralel cu tinta.

Radiatia laser, ca sursa externa de energie, a fost folosita pentru prima data in experimente in camere de reactie vidate, in scopul de a vaporiza diverse materiale (semiconductori sau dielectrici) si de a le depune sub forma de filme subtiri de catre Smith si Turner in 1965, folosind un laser cu rubin si lucrand la presiuni joase. Autorii au gasit ca filmele depuse de ei (PbCl2, MoO3, CdTe, PbTe, ZnTe) nu au reprodus stoichiometria tintei, nu au fost uniforme din punct de vedere al grosimii si nici aderente la substrat (sticla, mica, BaF2 sau AsS3).

Lucrare de licenta despre Depunerea de oxizi metalici cu constanta dielectrica mare prin ablatie laser

Cuprins

1. Introducere........3

1.1 Ablatia laser.......3
1.2Avantaje si dezavantaje ale ablatiei laser........10

2. Depunerea de filme subtiri prin ablatie laser.....13
2.1 Interactia radiatiei laser-suprafata......13
2.2 Expansiunea plasmei.........17
2.3 Cresterea filmelor--modele de crestere..........22

3. Influenta descarcarii RF asupra proprietatilor electrice si morfologice ale filmelor subtiri de HfO2...........27
3.1 Introducere.........27
3.2 Partea experimentala.......28
3.3 Rezultate si discutii.........31
3.4 Concluzii........35

Bibliografie.........36