Carbura de siliciu - materialele compozite

Trimis la data: 2014-05-15
Materia: Mecanica
Nivel: Facultate
Pagini: 4
Nota: 9.95 / 10
Downloads: 0
Autor: iuliancosmin
Dimensiune: 24kb
Voturi: 1
Tipul fisierelor: doc
Acorda si tu o nota acestui referat:
Lucrarea de fata prezinta aspectele principale legate de procesarea materialelor compozite. Crearea unei structuri sau a unui material inteligent implica doua aspecte. In primul rand, este necesara crearea unei structuri compozite, de cele mai multe ori bazata pe rasini epoxidice si intarita de fibra de sticla. In al doilea rand, de-a lungul acestei structuri este integrata o retea de senzori si de actuatori.
O astfel de strucura inteligenta trebuie sa indeplineasca urmatoarele functii:
-functia de senzor
-functia de actuator
-functia de procesare.
Aceste functii sunt indeplinite de proprietatile functionale ale unor materiale speciale ce sunt capabile sa transfere mecanisme la nivel atomic sau molecular. Analiza granulelor de SiC gasite in meteoritul condrit carbonat Murchison a scos la iveala proportii anormale de carbon si siliciu, indicand o origine din afara sistemului nostru solar. 99% din aceste granule de SiC provin din jurul stelelor AGB (Asymptotic giant branch). SiC se gaseste in mod normal in jurul acestor stele, dupa cum arata spectrul infrarosu.

Productie. Metoda moderna de fabricare a carburii de siliciu pentru materialele abrazive, materiale refractare si pentru industria metalurgica este similara celei dezvoltate de Acheson. Un amestec de praf de siliciu pur si carbon sub forma de cocs fin este pozitionat in jurul unui conductor de carbon, intr-un cuptor de caramida cu un nivel ridicat de rezistenta electrica. Prin acest conductor trece curentul electric, dand nastere unei reactii chimice in urma careia carbonul din cocs si siliciul din praf se amesteca si formeaza SiC si monoxid de carbon.

Aceasta operatiune poate dura cateva zile, timp in care temperatura din cuptor poate varia intre 2200º si 2700ºC (4000º - 4900ºF) in centru si 1400ºC (2500ºF) la extremitati. Consumul de energie poate depasi 100.000 kh/proces. Produsul finit reprezinta o patura de cristale de SiC de culoare verde-negru, inconjurate de materiale neprelucrate, partial sau in intregime nemodificate. Agregatul este mai apoi strivit, maruntit si selectionat in functie de uz. In cazul aplicatiilor electronice, cristale mari de SiC pot fi extrase din vapori; amestecul poate fi mai apoi taiat in microplacute, asemanatoare celor de siliciu folosite la fabricarea unor aparate solide.
Home | Termeni si conditii | Politica de confidentialitate | Cookies | Help (F.A.Q.) | Contact | Publicitate
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.