Tranzistoare TEC

Trimis la data: 2005-03-08 Materia: Automatica Nivel: Liceu Pagini: 26 Nota: / 10 Downloads: 12
Autor: George petrache Dimensiune: 126kb Voturi: Tipul fisierelor: doc Acorda si tu o nota acestui referat: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
vezi mai multe detalii vezi mai putine detalii
Raporteaza o eroare
Tranzistoarele în care conducţia electrică este asigurată de un singur tip de purtatori de sarcină, se întalnesc în literatură sub denumirea de unipolare sau efect de câmp. Pentru aceste tranzistoare se foloşeste prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field Effect Trasistor).

Funcţionarea lor se bazează pe variaţia conductibilitaţii unui ,,canal” realizat dintr-un material semiconductor, ale cărui dimensiuni tranversale sau concentraţii de purtători de sarcina mobili pot fi controlate cu ajutorul campului electric tranzversal, creat între un electrod de comandă numit grilă sau poartă, situat în vecinătatea canalului şi masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.

În funcţie de modul de realizare a grilei, distingem tranzistoarele cu grilă joncţiune TEC-J şi cu grilă izolată TEC-MOS. Tranzistoarele TEC prezintă avantajul, în raport cu cele bipolare, că au o rezistenţa de intrare mare, au o tehnologie de fabricaţie mai simplă şi ocupă o arie de siliciu mai mica în sructurile integrate. Pe de altă parte tranzistorul cu efect de câmp nu amplifică în curent. În circuitele electronice cu componente discrete se întalneşte şi în combinaţie cu tranzistorul bipolar.

Până în 1970 tranzistoarele cu efect de câmp realizate abia puteau comanda curenţi de câteva zeci de mA la tensiuni de zeci de volţi. Apoi, o nouă tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu nume depinzând de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile să opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V şi să vehiculeze curenţi medii de până la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce curenţi de până la 280 A (curenţi de vârf). În plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile termic decât corespondentele lor bipolare, la acelaşi tip de capsulă putând opera la puteri disipate mai mari.

Într-un tranzistor bipolar prin emitor sunt injectaţi purtători majoritari care ajung apoi în regiunea bazei, fiind aici minoritari datorită tipului diferit de dopare a bazei. Majoritatea lor traversează această regiune ajungând la colector şi formând curentul de colector, aproximativ egal cu cel de emitor. O foarte mică parte din ei se combină în regiunea bazei cu purtătorii majoritari de acolo. Acest fapt determină apariţia unui curent slab prin terminalul bazei.

Astfel, tranzistorul bipolar poate fi privit fie ca un amplificator de curent (cu factorul aproximativ constant, de ordinul sutelor) fie ca un dispozitiv transconductanţă în care curentul de colector este controlat de tensiunea bază emitor. Dar, indiferent cum privim noi lucrurile, sursa de semnal care comandă tranzistorul bipolar trebuie să debiteze sau să absoarbă un curent care este de ordinul a 1 % din curentul comandat. şi aceasta, dacă nu am ales cumva conexiunea cu bază comună, în care sursa de semnal trebuie să debiteze întregul curent comandat...

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de câmp controlează curentul între canalul dintre terminalul de drenă şi cel de sursă prin câmpul electric determinat de tensiunea aplicată pe poartă. Ori, cel puţin în principiu, pentru a menţine un câmp electric nu avem nevoie de un curent care să circule.

Astfel, avantajul esenţial al tranzistoarelor cu efect de câmp este acela că intensitatea curentului în terminalul porţii este practic nulă. Din acest motiv, la tranzistoarele cu efect de câmp, curentul între terminalul de drenă şi cel de sursă este controlat de tensiunea dintre poartă şi sursă.

Conducţia între drenă şi sursă are loc printr-o regiune limitată a semiconductorului, numită canal. În cazul tranzistoarelor JFET, între poartă şi canalul conductor există o joncţiune semiconductoare invers polarizată; astfel, curentul de poartă are valori de ordinul zecilor de nanoamperi.

Curenţii de poartă, de o mie de ori mai mici, se obţin în cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de câmp. La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolată prin intermediul unui strat de oxid de siliciu şi curentul de poartă este de ordinul zecilor de picoamperi.

Stiri
  • pag. 1
  • pag. 2
  • pag. 3
  • pag. 4
  • pag. 5
  • pag. 6
  • pag. 7
  • pag. 8
  • pag. 9
  • pag. 10

Nota explicativa
Referatele si lucrarile oferite de Referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Referat.ro te invata cum sa faci o lucrare de nota 10!
Linkuri utile
Programeaza-te online la salonul favorit Descarca gratuit aplicatiile pentru iOS si Android Materiale educative Jocuri Cele mai tari jocuri de pe net Referate scoala Resurse, lucrari, referate materiale pentru lucrari de nota 10
Toate imaginile, textele sau alte materiale prezentate pe site sunt proprietatea referat.ro fiind interzisa reproducerea integrala sau partiala a continutului acestui site pe alte siteuri sau in orice alta forma fara acordul scris al referat.ro. Va rugam sa consultati Termenii si conditiile de utilizare a site-ului. Informati-va despre Politica de confidentialitate. Daca aveti intrebari sau sugestii care pot ajuta la dezvoltarea site-ului va rugam sa ne scrieti la adresa webmaster@referat.ro.