Dispozitive electronice

Chestiuni:
Identificati alte mecanisme de strapungere pentru o dioda semicanductoare. Daca va ganditi la jonctiuni subtiri (sa zicem asimetrica n+p) la care strapungerea se realizeza prin atingerea de catre RSS a electrozilor metalici se poate gasi o relatie de predeterminare a tensiunii de strapungere?

Problema 2. S` se determine l`imea regiunii de barier`, extinderea acestei regiuni [n zonele p respectiv n ]i campul electric maxim la o jonciune abrupt` din Si care are urm`torii parametrii tehnologici: NA = 5ND = 1017 cm-3 nI = 1.5 x 1010 cm-3, F/cm Vth = 25.86 mV. Se vor considera urm`toarele condiii de polarizare: (1) VD = 0; (2) VD =0.5V; (3) VD = -10V.

Rezolvare Ecuaia (2.2) ce d` l`imea regiunii de barier` se poate rescrie astfelTensiunea intern` se calculeaz` cu relaia (2.1). Se determin` B0 = 0.77V.(1) - La polarizare nul` cu relaiile de mai sus se calculeaz` xdo = 0.24 m, xno=0.2 m, xpo = 0.04 m. Folosind ecuaia (2.3) se determin` campul maxim; se obine: FMo = 6.4 x 104 V/cm.

(2) - Pentru VD = 0.5V se determin` xd = 0.14 m xn = 0.12 m, xp = 0.024 m FM = 3.8 x 104 V/cm. La polarizare direct` l`imea regiunii de barier` ]i campul electric maxim se reduc fa` de echilibrul termic.
(3) - La polarizare invers` xd ]I FM cresc tensiunea pe diod`. Pentru VD = -10V se determin` xd = 0.9 m xn = 0.75 m, xp = 0.15 m FM = 2.9 x 105 V/cm.

Problema 3. - S` se determine raportul dintre curenii de difuzie ]i generare-recombinare la o diod` p+n cu jonciune abrupt` ]i baza subire, la polarizare invers` (VR = 9V) resprctiv direct` (VF = 0.3V)
(2) - S` se stabileasc` domeniul tensiunilor directe pentru care componenta de generare-recombinare respectiv cea de difuzie este predominant`.

(3) - S` se calculeze raportul de redresare al diodei . Se va considera curentul direct, ce corespunde tensiunii VF =0.7V ]i curentul invers de la VR = 9V.
Se cunosc:

Rezolvare
(1) - La polarizare invers` VD = - VR > ND ), cu baza subire (wno - xd